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IT之家 7 月 2 日消息，韓媒《朝鮮日?qǐng)?bào)》近日表示，ASML 預(yù)計(jì)于 2030 年左右推出的下一代光刻設(shè)備 —— Hyper (0.75) NA EUV 光刻機(jī)價(jià)格可能會(huì)突破一萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.67 億元人民幣）大關(guān)。

▲?ASML 光刻機(jī)路線圖

報(bào)道指出，傳統(tǒng)的 Low (0.33) NA EUV 光刻機(jī)單臺(tái)約為 2500 億韓元（當(dāng)前約 13.17 億元人民幣），目前已開始交付的 High (0.55) NA EUV 光刻機(jī)單價(jià)已升至 4000~5000 億韓元（當(dāng)前約 21.07 ~ 26.34 億元人民幣）。

而 HXE 系列 Hyper NA EUV 光刻機(jī)的價(jià)格將在 High?NA EUV 的基礎(chǔ)上再次翻倍。

▲?ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)

考慮到光刻機(jī)越發(fā)昂貴，設(shè)備成本問(wèn)題已成為各先進(jìn)制程代工廠規(guī)劃未來(lái)工藝時(shí)的重要考慮因素：

臺(tái)積電在其首個(gè) BSPDN 節(jié)點(diǎn) A16 上不會(huì)采用 High?NA EUV；三星電子在 SF1.4 節(jié)點(diǎn)的宣傳中未提到 High?NA；對(duì) High NA 最積極的英特爾也將實(shí)際應(yīng)用放到了 Intel 14A 上。

接近臺(tái)積電的消息人士向韓媒表示，臺(tái)積電考慮充分發(fā)揮其在多重圖案化上的技術(shù)積累，盡可能使用現(xiàn)有 Low NA 設(shè)備實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝，推遲 High / Hyper NA 的導(dǎo)入。

而接近三星電子的消息人士則稱，隨著 Hyper NA EUV 出現(xiàn)在 ASML 的產(chǎn)品規(guī)劃上，三星電子也在審查自身路線圖。

這位消息人士認(rèn)為，考慮到最終將過(guò)渡到 Hyper NA，積極引入已很昂貴的 High?NA EUV 光刻機(jī)可能是一個(gè)糟糕選擇。三星電子不排除跳過(guò) High?NA 直接轉(zhuǎn)向 Hyper NA 的可能。